STM32F103VBT6 128K 32Bit MCUの集積回路の破片

ST ICの破片STM32F103VBT6 STMicroelectronics 128Kのフラッシュ・メモリの32ビット マイクロ制御回路MCU

製品の説明:STM32F103VBT6

STM32F103VBT6媒体密度の性能シリーズは72MHzの働く頻度、高速埋め込まれた記憶の高性能ARM®Cortex® M332ビットRISC中心を（までのフラッシュ・メモリの128KBとSRAMの20KB）使用し、さまざま高められて私は2台のAPBバス/Oおよびペリフェラルに接続した。すべての装置は2 12ビットADCs、3人の一般目的の16ビットのタイマーおよび1つのPWMのタイマー、また標準的な、高度の通信用インタフェース提供する:2までI2CsおよびSPI、3 USARTs、1 USBおよび1はできる。

これらの装置は3.6V電源に2.0を使用する。それらは+85°Cへの-40の温度較差および+105°C.への-40の延長温度較差で使用することができる。節電モードの総合セットはローパワー適用の設計を可能にする。

STM32F103VBT6媒体密度の性能シリーズは6つのパッケージのタイプに装置を含める:36のピンから100つのピンから。指定装置に従って、異なった周辺セットを含んで、提案される次の記述はすべてのペリフェラルをシリーズで要約する。

これらの特徴はSTM32F103VBT6媒体密度の性能ライン マイクロ制御回路シリーズを、モーター ドライブ、適用制御、医学および手持ち型装置、PCおよび賭博ペリフェラル、GPSのプラットホーム、産業適用、PLCs、インバーター、プリンター、走査器、警報システム、ビデオ通話装置およびHVACのような広い応用範囲のために適したようにする。

主な特長:STM32F103VBT6

ARM®32ビットCortex®-M3CPU中心;;最高の頻度は72MHzの1.25DMIPS/MHz （Dhrystone2.1）性能である0待ち状態のメモリー アクセスである;単一周期乗法およびハードウェア部;記憶;64または128KBフラッシュ・メモリ;20KB SRAM;時計、調整および力管理;3.6V適用力および入力/出力への2.0。;POR、PDRおよびプログラム可能な電圧探知器（PVD）;16MHz水晶発振子への4;内部8MHz工場はRCを調節した;内部40kHzRC;CPUの時計のためのPLL;口径測定機能のRTCのための32kHz発振器;低い電池;睡眠は、待機モード停止し、;VBATはRTCおよびバックアップ記録を提供する;2x12ビット、1μs A/Dのコンバーター（16までのチャネル）;転換の範囲:3.6Vへの0。;二重サンプルおよび把握機能;温度検出器;DMA;7チャネルのDMAコントローラー;サポート ペリフェラル:タイマー、ADC、SPI、I2CsおよびUSART;80まで速い入力/出力の港;26/37/51/80I/Oは、すべてに地図を描く5Vである16の外部割込み機構のベクトル、ほとんどことができる;許容;モードをデバッグしなさい;連続ワイヤーは（SWD）デバッグし、JTAGインターフェイス;7つのタイマー;3つの16ビットのタイマー、4つまでのIC/OC/PWMまたはパルスカウンター装置および求積法の（増加）エンコーダーの入力とのそれぞれ;不感時間の16ビットの運動制御PWMのタイマーおよび機能を非常停止;2つのウォッチドッグ タイマー（独立者および窓）;カウンターの下のSysTickのタイマー24ビット;9つまでの通信用インタフェース;2つまでのI2Cインターフェイス（SMBus/PMBus）;3までUSARTs （ISO7816インターフェイス、林のIrDA機能、変復調装置制御）;2までSPI （18Mbit/s）;缶インターフェイス（活動的な2.0B）;USB2.0全速力インターフェイス;CRCの計算の単位、96ビット独特なID

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